مشخصات ماسفت IRF630NPbF
ماسفت IRF630NPbF از خانواده
ترانزیستور - FET - ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس
دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- اصالت Unknown
- منبع تأییدشده YES
- بسته بندی Unpacked
- ماهیت محصول IRF630NP
- نوع FET N-CH Single
- جریان درین (Id) (حداکثر) 9.3A
- حداکثر Rds در حالت روشن در Id و Vgs 0.3 ohm @ 5.4A/10V
- حداکثر آستانه Vgs در Id 4V @ 250uA
- حداکثر Vgs ±20V
- حداکثر خازن ورودی در Vds 575pF @ 25V (Typ)
- اتلاف توان 82W(Tc)
- ویژگی خاص Avalanche
- مارکینگ IRF630N
- پکیج TO220-3
- نوع نصب Through Hole
- وضعیت تولید Active
- برند Infineon
- ولتاژ درین سورس (Vdss) 200V
- حداکثر بار گیت در Vds 35nC @ 10V
- فناوری FET HEXFET
- دمای عملکرد -55°C ~ +175°C (Tj)
متوسط امتیاز ها :
0
0 رأیهیچ دیدگاهی وجود ندارد
شما اولین نفری باشید که نظر خود را به اشتراک می گذارد. دیدگاه شما میتواند برای دیگران مفید باشد.